Experimentación con equipos de laboratorio para fabricar capas del semiconductor óxido de zinc: estudio de sus propiedades usando un sistema de rayos-X y un microscopio electrónico

Resumen

En este trabajo se reporta el proceso de experimentación para fabricar capas del semiconductor óxido de zinc (ZnO), a través de dos procesos: pulverización catódica para obtener capas de zinc y oxidación térmica para obtener ZnO. La primera etapa consistió en procesar una barra industrial de zinc para obtener el blanco del sistema de pulverización catódica. Utilizando un equipo de preparación de muestras de pulverización catódica se lograron obtener capas de zinc sobre portamuestras de vidrio. En la etapa final, dichas capas se lograron oxidar en un horno resistivo. El tipo de material se identificó por la técnica de difracción de rayos-X, donde se encontró que todos los picos de la gráfica que se obtiene de ese equipo, corresponden al ZnO. Adicionalmente, se usó un equipo de microscopía electrónica de barrido para observar la superficie de las muestras, lo que permitió ubicar una capa homogénea y uniforme para el ZnO. Finalmente se utilizó un método de identificación de elementos químicos, conocido como espectroscopía por dispersión de electrones.